[10월] 월간 hy-way(경력) - DRAM/NAND개발(NAND 설계-Interface/Datapath)

담당업무

• 메모리 내부 고속 동작을 위한 Data SerDes 구조 개발

• 저전력 Write/Read Data path 설계 기술 개발

• I/O Interface 동작 속도 및 고속 신호 전송 품질 개선을 위한 RX, TX, ZQ, ODT, DCC 설계 IP 개발

자격요건

• 반도체·전자·전기 공학 계열 전문 지식

• 고속·저전력 Data serial/deserialization 기술 개발 역량

• 고속 IO Interface용 Receiver, Transmitter, Duty cycle corrector 설계 및 signal integrity 평가 역량

• 병역필 또는 면제, 해외여행에 결격 사유가 없는 자

우대사항

• Memory Write/Read Data path 설계 경험

• DRAM/NAND High-speed IO Interface 설계 경험

• Global Tech 회사와 협업 가능한 영어 능력

• Agentic AI 활용 역량

지원방법

당사 채용 홈페이지를 통한 온라인 지원

마감기한

2026년 11월 2일 17:00까지